导读 三星宣布，他们已开始量产具有业界最高位密度的1 太比特 (tb) 单元 (tlc) 第八代 v-nand。这种新的 v-nand 还将具有市场上最高的存
三星宣布，他们已开始量产具有业界最高位密度的1 太比特 (tb) 单元 (tlc) 第八代 v-nand。这种新的 v-nand 还将具有市场上最高的存储容量，从而为下一代企业服务器系统提供更大的存储空间。三星此前在 2022 年闪存峰会和 2022 年三星内存技术日上宣布了其第 8代1tb tlc v-nand，并于 2020 年扩大了其在韩国平泽的 nand 闪存产能。
三星表示，他们的第 8 代 v-nand 将有助于满足快速增长的市场需求，并使他们能够开发出更多独特的产品和凯发官网首页的解决方案。他们能够通过显着提高每个晶片的位生产率来实现这种位密度。
使用最新的“toggle ddr 5.0 接口”，三星的新 v-nand 技术具有高达 2.4gbps 的 i/o 速度，大约是上一代产品的 1.2 倍。这将允许新的 v-nand 支持 pcie 4.0 和 pcie 5.0 的性能要求和标准(尽管在以后的日期)。
三星认为，其第八代 v-nand 将有助于扩展下一代企业服务器的存储容量。他们还计划将其应用扩展到汽车市场。
标签：