《科创板日报》10月6日讯（编辑 郑远方）据韩媒报道，日前多位消息人士透露，三星内部认为目前nand flash供应价格过低，公司计划今年四季度起，调涨nand flash产品的合约价格，涨幅在10%以上；预计最快本月新合约便将采用新价格。
今年以来，三星一直奉行减产战略，1月、4月已连续宣布调整晶圆投入。最初的减产举措主要集中在dram领域，之后下半年三星开始着手大幅削减nand flash业务产量，眼下正试图推动nand价格正常化。
如今dram已出现价格反弹，而nand产品仍存突破空间。三星目标是扩大减产规模，降低供应量，再提高产品价格来寻求反转，其期望明年第二季实现nand盈亏平衡点。
sk证券研究员han dong-hee认为，三星的第二波减产计划和获利优先政策有望带动存储芯片价格反弹。
值得一提的是，三星9月已与客户（包括小米、oppo及谷歌）签署了内存芯片供应协议，dram和nand闪存芯片价格较之前合同价格上调10%-20％。三星电子预计，从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。
另外，原厂近期已通知下游厂商，q4将调涨合约价。不同产品涨幅不同，但涨幅几乎都在双位数水平，其中nand flash q4合约价有望涨一至两成，dram则约涨一成。
10月初，威刚董事长陈立白表示，存储芯片产业苦熬两年，黑暗将过，2024年下半年更可能出现短缺。他认为，由于三大存储芯片巨头积极减产，效益开始显现，nand及dram近期现货价皆从低谷处呈现双位数反弹。
目前业内买卖双方正在洽谈合约价，陈立白估计，dram及nand flash第四季度合约价将上涨10%-15%，三星甚至计划调涨20%，仍待观察成交价。
从行业供给端来看，中信证券预计，2023年行业供给增速将低于需求增速，供需将逐步达到平衡，有助于库存修复，看好存储板块周期2023年下半年见底。需求端而言，目前终端厂商已处于去库存的后期，全年出货有望呈现前低后高，看好2023年下半年至2024年下游需求回暖趋势。
总体上，分析师预计下半年随着库存去化，需求逐步回归，行业细分龙头有望迎来业绩修复机会，看好国内存储产业链周期复苏叠加本土化趋势下的投资机遇，建议关注：1）存储模组；2）存储芯片设计；3）存储配套芯片。
来源：财联社
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